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            晶振 電容 晶振電容的選擇_電子/電路_工程科技_專業資料

            晶振電容的選擇1:如何選擇晶振 對于一個高可靠性的系統設計,晶體的選擇非常重要,尤其 設計帶有睡眠喚醒(往往用低電壓以求低功耗)的系統。 這是因為 低供電電壓使提供給晶體的激勵功率減少, 造成晶體起振很慢或 根本就不能起振。這一現象在上電復位時并不特別明顯,原因是 上電時電路有足夠的擾動,很容易建立振蕩。在睡眠喚醒時,電 路的擾動要比上電時小得多, 起振變得很不容易。 在振蕩回路中, 晶體既不能過激勵(容易振到高次諧波上)也不能欠激勵(不容易 起振)。晶體的選擇至少必須考慮:諧振頻點,負載電容,激勵 功率,溫度特性,長期穩定性。一般來說某一種單片機或外圍芯 片都會給出一個或幾個典型適用的晶振晶振 電容,常用的像 51 單片機用 12M 晶振,ATmega 系列單片機可以用 8M,16M,7.3728M 等。這 里有一個經驗可以分享一下, 如果所使用的單片機內置有 PLL 即 鎖相環,那么所使用的外部晶振都是低頻率的,如 32.768K 的晶 振等, 因為可以通過 PLL 倍頻而使單片機工作在一個很高的頻率 下。2:如何選擇電容起振電容 從原理上講直接將晶振接到單片機上,單片機就可以工作。 但這樣構成的振蕩電路中會產生偕波(也就是不希望存在的其他頻率的波),這個波對電路的影響不大,但會降低電路的時鐘振蕩 器的穩定性.為了電路的穩定性起見,建議在晶振的兩引腳處接 入兩個瓷片電容接地來削減偕波對電路的穩定性的影響,所以晶 振必須配有起振電容, 但電容的具體大小沒有什么普遍意義上的 計算公式,不同芯片的要求不同。 (1):因為每一種晶振都有各自的特性,所以最好按制造 廠商所提供的數值選擇外部元器件。 (2):在許可范圍內晶振 電容,C1,C2 值越低越好。C 值偏大雖有利 于振蕩器的穩定,但將會增加起振時間,比較常用的為 15p-30p 之間。

            晶振電容_晶振 電容_單片機晶振電容作用

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